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HGTD1N120BNS分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
HGTD1N120BNS |
| 参数属性 | HGTD1N120BNS 封装/外壳为TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63；包装为管件；类别为分立半导体产品的晶体管-UGBT、MOSFET-单；产品描述：IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA |
| 功能描述 | 5.3A, 1200V, NPT Series N-Channel IGBT |
| 封装外壳 | TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63 |
| 文件大小 |
71.96 Kbytes |
| 页面数量 |
7 页 |
| 生产厂商 | Intersil Corporation |
| 企业简称 |
INTERSIL |
| 中文名称 | Intersil Corporation官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-7-2 23:29:00 |
| 人工找货 | HGTD1N120BNS价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
HGTD1N120BNS规格书详情
The HGTD1N120BNS and HGTP1N120BN are Non-Punch Through (NPT) IGBT designs. They are new members of the MOS gated high voltage switching IGBT family. IGBTs combine the best features of MOSFETs and bipolar transistors. This device has the high input impedance of a MOSFET and the low on-state conduction loss of a bipolar transistor.
Features
• 5.3A, 1200V, TC = 25oC
• 1200V Switching SOA Capability
• Typical EOFF. . . . . . . . . . . . . . . . . . . 120µJ at TJ = 150oC
• Short Circuit Rating
• Low Conduction Loss
• Avalanche Rated
• Temperature Compensating SABER™ Model
Thermal Impedance SPICE Model
www.intersil.com
• Related Literature
- TB334, “Guidelines for Soldering Surface Mount
Components to PC Boards”
产品属性
- 产品编号：
HGTD1N120BNS9A
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
- 包装：
管件
- IGBT 类型：
NPT
- 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 15V，1A
- 开关能量：
70µJ（开），90µJ（关）
- 输入类型：
标准
- 25°C 时 Td（开/关）值：
15ns/67ns
- 测试条件：
960V，1A，82 欧姆，15V
- 工作温度：
-55°C ~ 150°C（TJ）
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
TO-252-3，DPak（2 引线 + 接片），SC-63
- 供应商器件封装：
TO-252AA
- 描述：
IGBT 1200V 5.3A 60W TO252AA
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
三年内 |
1983 |
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