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HGT1S3N60A4DS中文资料600V, SMPS Series N-Channel IGBT with Anti-Parallel Hyperfast Diode数据手册ONSEMI规格书
技术参数
- 型号：
HGT1S3N60A4DS
- 功能描述：
IGBT 晶体管 TO-263
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
FAIRCHILD |
2023+ |
SMD |
1549 |
安罗世纪电子只做原装正品货 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-263AB |
38550 |
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FAIRCHI |
23+ |
SOT-263 |
8560 |
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FAIRCHILD/仙童 |
22+ |
SOT-263 |
100000 |
代理渠道/只做原装/可含税 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
1163 |
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询价 | ||
FAIRCHILD |
05+ |
TO-263 |
800 |
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FAIRCHILD |
25+ |
SOT-263 |
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Intersil |
24+ |
TO-263 |
8866 |
询价 | |||
INTERSIL |
05+ |
原厂原装 |
4435 |
只做全新原装真实现货供应 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
23+ |
TO-263 |
47322 |
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种 |
询价 |
