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HGT1S12N60A4DS中文资料600V，SMPS IGBT数据手册ONSEMI规格书
HGT1S12N60A4DS规格书详情
描述 Description
HGT1S12N60A4DS 结合了 MOSFET 的高输入阻抗，以及双极晶体管的低导通状态损耗最佳特性。此 IGBT 适用于务必保证低导通损耗的、在高频率下运行的多种高电压开关应用。该器件适用于 UPS 和焊接机等快速开关应用。
特性 Features
•23A, 600V @ TC = 110°C
•典型下降时间............TJ=125°C时为 70 ns
•低导通损耗
应用 Application
其他工业 不间断电源
技术参数
- 型号：
HGT1S12N60A4DS
- 功能描述：
IGBT 晶体管 12A 600V N-Ch
- RoHS：
否
- 制造商：
Fairchild Semiconductor
- 配置：
集电极—发射极最大电压
- VCEO：
650 V
- 集电极—射极饱和电压：
2.3 V
- 栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
- C的连续集电极电流：
150 A
- 栅极—射极漏泄电流：
400 nA
- 功率耗散：
187 W
- 封装/箱体：
TO-247
- 封装：
Tube
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
onsemi(安森美) |
24+ |
TO-263 |
1471 |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
询价 | ||
FAIRCHILD/仙童 |
24+ |
NA/ |
3477 |
原装现货,当天可交货,原型号开票 |
询价 | ||
ON/安森美 |
25+ |
25000 |
原厂原包 深圳现货 主打品牌 假一赔百 可开票! |
询价 | |||
ON/安森美 |
21+ |
SMD |
30000 |
百域芯优势 实单必成 可开13点增值税 |
询价 | ||
三年内 |
1983 |
只做原装正品 |
询价 | ||||
INTERSIL |
23+ |
TO-263 |
6000 |
原装正品，支持实单 |
询价 | ||
ON Semiconductor |
2022+ |
TO-263AB |
38550 |
全新原装 支持表配单 中国著名电子元器件独立分销 |
询价 | ||
FAIRCHILD |
23+ |
TO-220 |
5000 |
专注配单,只做原装进口现货 |
询价 | ||
Fairchild/ON |
23+ |
TO263AB |
7000 |
询价 | |||
FSC |
1922+ |
TO-263 |
9200 |
公司原装现货假一罚十特价欢迎来电咨询 |
询价 |
