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HGD053N06SL	文件：913.74 Kbytes Page：6 Pages	丝印：GI053N06SL；Package：TO-251；60V N-Ch Power MOSFET Feature ◇High Speed Power Switching, Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dtcapability ◇EnhancedAvalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, HalogenFree Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇DC/DCin Telecoms and 文件：913.74 Kbytes 页数：6 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK
HGD053N06SL	文件：300 bytes Page：1 Pages	60V SGT	Hunteck 恒泰柯半导体	Hunteck
HGI053N06SL	文件：913.74 Kbytes Page：6 Pages	60V N-Ch Power MOSFET Feature ◇High Speed Power Switching, Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dtcapability ◇EnhancedAvalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, HalogenFree Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇DC/DCin Telecoms and 文件：913.74 Kbytes 页数：6 Pages	HUNTECK 恒泰柯半导体	HUNTECK
IIPD053N06N	文件：336.26 Kbytes Page：2 Pages	N-Channel MOSFET Transistor 文件：336.26 Kbytes 页数：2 Pages	ISC 无锡固电	ISC
IPD053N06N	文件：1.02174 Mbytes Page：2 Pages	New OptiMOS??40V and 60V 文件：1.02174 Mbytes 页数：2 Pages	INFINEON 英飞凌	INFINEON

更多HGD053N06SL供应商更新时间2026-2-8 14:00:00