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HGI053N06SL

丝印:GD053N06SL;Package:TO-252;60V N-Ch Power MOSFET

Feature ◇High Speed Power Switching, Logic Level ◇Enhanced Body diode dv/dtcapability ◇EnhancedAvalanche Ruggedness ◇100% UIS Tested, 100% Rg Tested ◇Lead Free, HalogenFree Application ◇Synchronous Rectification in SMPS ◇Hard Switching and High Speed Circuit ◇DC/DCin Telecoms and

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HGI053N06SL

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IPD053N06N

N-Channel MOSFET Transistor

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更多HGI053N06SL供应商 更新时间2026-2-6 9:29:00