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HFA3128B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：57.7 Kbytes 页数：9 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HFA3128B	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HFA3128BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	丝印：HFA3128BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibi 文件：699.33 Kbytes 页数：14 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3128BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	丝印：HFA3128BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features • NPN transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz • NPN current gain (hFE) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130 • NPN early voltage (VA). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V • PNP transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . 文件：790.14 Kbytes 页数：16 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
HFA3128BZ	文件：298.68 Kbytes Page：13 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays 文件：298.68 Kbytes 页数：13 Pages	INTERSIL	INTERSIL
HFA3128B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HFA3128BZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HFA3128BZ96	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
HFA3128B
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
5 PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

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