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HFA3128B	文件：57.7 Kbytes Page：9 Pages	Ultra High Frequency Transistor Arrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	Intersil Intersil Corporation	Intersil
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HFA3128B	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）剪切带（CT）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HFA3128BZ	文件：699.33 Kbytes Page：14 Pages	Marking：HFA3128BZ；Package：16LdSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays TheHFA3046,HFA3096,HFA3127andtheHFA3128areUltraHighFrequencyTransistorArraysthatarefabricatedfromIntersilCorporation’scomplementarybipolarUHF-1process.Eacharrayconsistsoffivedielectricallyisolatedtransistorsonacommonmonolithicsubstrate.TheNPNtransistorsexhibi	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
HFA3128BZ	文件：790.14 Kbytes Page：16 Pages	Marking：HFA3128BZ；Package：16LDSOIC；Ultra High Frequency Transistor Arrays Features •NPNtransistor(fT)..........................8GHz •NPNcurrentgain(hFE)........................130 •NPNearlyvoltage(VA)........................50V •PNPtransistor(fT)................	RENESASRenesas Technology Corp 瑞萨瑞萨科技有限公司	RENESAS
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HFA3128BZ	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc
HFA3128BZ96	文件：100 bytes Page：1 Pages	Package：16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）；包装：卷带（TR）类别：分立半导体产品晶体管 - 双极（BJT）- 射频描述：RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC	Renesas Electronics America Inc Renesas Electronics America Inc	Renesas Electronics America Inc

产品属性

产品编号：
HFA3128B
制造商：
Renesas Electronics America Inc
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极（BJT）- 射频
包装：
卷带（TR）剪切带（CT）
晶体管类型：
5 PNP
电压 - 集射极击穿（最大值）：
15V
频率 - 跃迁：
5.5GHz
噪声系数（dB，不同 f 时的典型值）：
3.5dB @ 1GHz
功率 - 最大值：
150mW
不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
20 @ 10mA，2V
电流 - 集电极 (Ic)（最大值）：
65mA
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
16-SOIC（0.154"，3.90mm 宽）
供应商器件封装：
16-SOIC
描述：
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC

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