HFA3128BZ分立半导体产品晶体管-双极(BJT)-射频规格书PDF中文资料
![HFA3128BZ](https://img.114ic.com/dgk/Photos/Intersil%20Photos/MFG_16-SOIC%20PKG.jpg)
厂商型号 |
HFA3128BZ |
参数属性 | HFA3128BZ 封装/外壳为16-SOIC(0.154",3.90mm 宽);包装为卷带(TR);类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频;产品描述:RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC |
功能描述 | Ultra High Frequency Transistor Arrays |
文件大小 |
699.33 Kbytes |
页面数量 |
14 页 |
生产厂商 | Renesas Electronics America |
企业简称 |
RENESAS【瑞萨】 |
中文名称 | 瑞萨科技有限公司官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2024-6-20 23:00:00 |
HFA3128BZ规格书详情
The HFA3046, HFA3096, HFA3127 and the HFA3128 are Ultra High Frequency Transistor Arrays that are fabricated from Intersil Corporation’s complementary bipolar UHF-1 process. Each array consists of five dielectrically isolated transistors on a common monolithic substrate. The NPN transistors exhibit a fT of 8GHz while the PNP transistors provide a fT of 5.5GHz. Both types exhibit low noise (3.5dB), making them ideal for high frequency amplifier and mixer applications.
Features
• NPN Transistor (fT) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 8GHz
• NPN Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 130
• NPN Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 50V
• PNP Transistor (fT). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 5.5GHz
• PNP Current Gain (hFE). . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . 60
• PNP Early Voltage (VA) . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . . .20V
• Noise Figure (50) at 1.0GHz . . . . . . . . . . . . . . . . . 3.5dB
• Collector to Collector Leakage . . . . . . . . . . . . . . . . . .<1pA
• Complete Isolation Between Transistors
• Pin Compatible with Industry Standard 3XXX Series
Arrays
• Pb-Free (RoHS Compliant)
Applications
• VHF/UHF Amplifiers
• VHF/UHF Mixers
• IF Converters
• Synchronous Detectors
HFA3128BZ属于分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频。瑞萨科技有限公司制造生产的HFA3128BZ晶体管 - 双极(BJT)- 射频双极型射频晶体管是一种具有三个端子的半导体器件,用于在涉及射频的设备中开关或放大信号。双极结型晶体管设计为 NPN 或 PNP,特征参数包括晶体管类型、集射极击穿电压、跃迁频率、噪声系数、增益、功率、DC 电流增益和集电极电流。
产品属性
- 产品编号:
HFA3128BZ
- 制造商:
Renesas Electronics America Inc
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极(BJT)- 射频
- 包装:
卷带(TR)
- 晶体管类型:
5 PNP
- 电压 - 集射极击穿(最大值):
15V
- 频率 - 跃迁:
5.5GHz
- 噪声系数(dB,不同 f 时的典型值):
3.5dB @ 1GHz
- 功率 - 最大值:
150mW
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):
20 @ 10mA,2V
- 电流 - 集电极 (Ic)(最大值):
65mA
- 工作温度:
150°C(TJ)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.154",3.90mm 宽)
- 供应商器件封装:
16-SOIC
- 描述:
RF TRANS 5 PNP 15V 5.5GHZ 16SOIC
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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