HCPL-5401

Hermetically Sealed, Very High Speed, Logic Gate Optocouplers

Description Theseunitsaresingleanddualchannel,hermeticallysealedoptocouplers.TheproductsarecapableofoperationandstorageoverthefullmilitarytemperaturerangeandcanbepurchasedaseitherstandardproductorwithfullMIL-PRF-38534ClassLevelHorKtestingorfromtheap

HCPL-5401

Hermetically Sealed, Very High Speed, Logic Gate Optocouplers High radiation immunity

Description Theseunitsaresingleanddualchannel,hermeticallysealedoptocouplers.TheproductsarecapableofoperationandstorageoverthefullmilitarytemperaturerangeandcanbepurchasedaseitherstandardproductorwithfullMIL-PRF-38534ClassLevelHorKtestingorfromtheappro

HCPL-5401

密封型极高速逻辑门光电耦合器; ·高可靠性、单通道、8 引脚 DIP\n·-55°C 到 +125°C 性能保证\n·MIL-PRF-38534 H 类，QML-38534\n·器件零件编号和 DLA 标准微型电路图纸双重标记\n·高抗幅射能力\n·可靠性数据\n·提供 MIL-PRF-38534 K 类产品选择\n·三种密封型封装配置\n·双通道器件（封装可能不同）\n·高速：40 Mb/s\n·有源（图腾柱）输出\n·CMR：保证 500 V/µs\n·1,500 Vdc 耐压\n·提供三级输出\n·兼容 TTL、STTL、LSTTL 和 HCMOS 逻辑系列\n;

HCPL-5401 是采用 8 引脚陶瓷 DIP 封装的高可靠性 H 类单通道密封光电耦合器，同时提供镀金引脚、浸锡引脚及其他多种引脚形式选择。请参阅数据表获取详细信息。该产品能够在全部军事化温度范围内运行和存储，并且可以作为商品级购买、搭配全部 MIL-PRF-38534 类 K 级测试或从 DLA 标准微型电路图纸 5962-89570 中选购。器件均在 MIL-PRF-38534 认证线路上进行生产和测试，并且被纳入混合型微型电路 QML-38534 DLA 合格制造商名单中。该器件含有与集成高增益光电探测器进行光电耦合的 AlGaAs 发光二极管。这种组合带来极高数据传输率。探测器采用滞后阈值设计，通常提供 0.25mA 差分模式抗噪能力并将输出信号颤动降至最低。单通道单元内的探测器具有三级输出，可以节省上拉电阻并直接驱动数据总线。\n所有单元兼容 TTL、STTL、LSTTL 和 HCMOS 逻辑系列。35ns 脉冲宽度失真保证了 125°C 35% 脉冲宽度失真下 10 MBd 的信号率。这个裸芯片的封装型式有单通道或双通道 8 引脚 DIP 直插型封装和 20 接点无引线陶瓷芯片载体封装形式。大多数器件有多种引脚型式和渡层可供选购。请参阅数据表获取详细信息。由于数据表中所列出每个器件的通道都使用相同电气特性的芯片，包括发射器和探测器，因此几乎所有产品的最大绝对规格、建议工作条件、电气规格和性能特性等几乎完全相同，如有基于封装变化和限制造成的部分例外会予以标示。另外，所有器件也使用相同的封装组装工序和材料，这样的相似性可实现使用从一个部件上获得的数据来代表其他部件的性能，以保证可靠性及部分有限辐射测试结果。

HM5401

NPNEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHM5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •Highcurrent-emitterbreakdownvoltage.VCEO=150V(@IC=1mA) •ComplementstoNPNtypeHM5551

HM5401

1Li-ion/Li-polymerbatterychargebalanceIC

HMBT5401

PNPEPITAXIALPLANARTRANSISTOR

Description TheHMBT5401isdesignedforgeneralpurposeapplicationsrequiringhighbreakdownvoltages. Features •HighCollector-EmitterBreakdownVoltage(BVCEO=150V@IC=1mA) •ComplementstoNPNTypeHMBT5551