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IRFD9020	文件：267.19 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020	文件：264.3 Kbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET FEATURES •DynamicdV/dtrating •Repetitiveavalancherated •Forautomaticinsertion •Endstackable •P-channel •175°Coperatingtemperature •Fastswitching •Materialcategorization:fordefinitionsofcompliance pleaseseewww.vishay.com/doc?99912 DESCRIPTION Thirdgeneration	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFD9020PBF	文件：1.031079 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThirdgenerationPowerMOSFETsfromVishayprovidesthedesignerwiththebestcombinationoffastswitching,ruggedizeddevicedesign,lowon-resistanceandcosteffectiveness. The4pinDIPpackageisalowcostmachine-insertablecasestylewhichcanbestackedin multipleco	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
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IRFR9020	文件：238.31 Kbytes Page：8 Pages	REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS REPETITIVEAVALANCHEANDdv/dtRATEDHEXFETTRANSISTORS P-CHANNEL -50Volt,0.20OhmHEXFET	IRF International Rectifier	IRF
IRFR9020	文件：1.20947 Mbytes Page：9 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyandd	VishayVishay Siliconix 威世科技威世科技半导体	Vishay
IRFR9020	文件：4.08678 Mbytes Page：8 Pages	PowerMOSFET DESCRIPTION ThePowerMOSFETtechnologyisthekeytoVishay’sadvancedlineofPowerMOSFETtransistors.Theefficientgeometryanduniqueprocessingofthislatest“StateoftheArt”designachieves:verylowon-stateresistancecombinedwithhightransconductance;superiorreverseenergyand	KERSEMI Kersemi Electronic Co., Ltd.	KERSEMI
IRFR9020	文件：321.01 Kbytes Page：2 Pages	iscP-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC

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