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KRA560E	文件：49.87 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRA560U	文件：50.03 Kbytes Page：4 Pages	EPITAXIALPLANARPNPTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KSD560	文件：42.84 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifier LowFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitchingIndustrialUse •ComplementtoKSB601	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD560	文件：235.11 Kbytes Page：6 Pages	NPN(LOWFREQUENCYPOWERAMPLIFIERLOWSPEEDSWITCHINGINDUSTRIALUSE)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
KSD560	文件：48.32 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifier LowFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitchingIndustrialUse •ComplementtoKSB601	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD560	文件：170.57 Kbytes Page：3 Pages	iscSiliconNPNDarlingtonPowerTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KSD560R	文件：48.32 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifier LowFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitchingIndustrialUse •ComplementtoKSB601	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSD560Y	文件：48.32 Kbytes Page：4 Pages	LowFrequencyPowerAmplifier LowFrequencyPowerAmplifier •LowSpeedSwitchingIndustrialUse •ComplementtoKSB601	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
KSK-PR560	文件：305.69 Kbytes Page：2 Pages	KSK-PR560SeriesReedSwitches Features:HighVoltage Applications:ControlBox,Lamp,Motor&Others	STANDEX Standex Electronics, Inc.	STANDEX
LB560Z	文件：390.38 Kbytes Page：12 Pages	GREENOVALLAMPLED GREENOVALLAMPLED	SEOULSeoul Semiconductor Co., Ltd. 首尔半导体首尔半导体有限公司	SEOUL

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产品属性

产品编号：
HBZ560MBBCREKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HBZ
包装：
卷带（TR）
容差：
±20%
电压 - 额定：
2000V（2kV）
工作温度：
-40°C ~ 85°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
大小 / 尺寸：
0.276" 直径（7.00mm）
高度 - 安装（最大值）：
0.394"（10.00mm）
引线间距：
0.295"（7.50mm）
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 56PF 2KV RADIAL

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