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KSD560中文资料PDF规格书

KSD560
厂商型号

KSD560

参数属性

KSD560 封装/外壳为TO-220-3;包装为管件;类别为分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个;产品描述:TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3

功能描述

NPN (LOW FREQUENCY POWER AMPLIFIER LOW SPEED SWITCHING INDUSTRIAL USE)

文件大小

235.11 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Samsung Group
企业简称

Samsung三星

中文名称

三星半导体官网

原厂标识
数据手册

下载地址一下载地址二

更新时间

2024-5-27 20:40:00

晶体管资料

  • 型号:

    KSD560

  • 别名:

    KSD560三极管、KSD560晶体管、KSD560晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N+Darl+Di

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

  • 最大电流允许值:

    5A

  • 最大工作频率:

    <1MHZ或未知

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2SC1881,2SC1883,2SD560,2SD633,2SD634,2SD635,2SD678A,2SD679A,2SD686,2SD687,2SD691,2SD721,2SD722,2SD768K,2SD887,2SD972,2SD1022,2SD1052,2SD1128,2SD1147,2SD1163A,2SD1190,2SD1218,2SD1572,2SD1600,2SD1608,2SD1646,2SD1647,2SD1888,

  • 最大耗散功率:

    30W

  • 放大倍数:

  • 图片代号:

    B-92

  • vtest:

    0

  • htest:

    999900

  • atest:

    5

  • wtest:

    30

产品属性

  • 产品编号:

    KSD560R

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管(BJT)- 单个

  • 包装:

    管件

  • 晶体管类型:

    NPN - 达林顿

  • 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降(最大值):

    1.5V @ 3mA,3A

  • 电流 - 集电极截止(最大值):

    1µA(ICBO)

  • 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)(最小值):

    2000 @ 3A,2V

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    通孔

  • 封装/外壳:

    TO-220-3

  • 供应商器件封装:

    TO-220-3

  • 描述:

    TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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