| 选定 | 供应商 | 型号 | 品牌封装 | 数量 | 批号 | 价格 | 说明/货期/品质/优势 | 询价 |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
12 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
9851 |
2048+ |
只做原装正品现货!或订货假一赔十! |
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深圳市汇莱威科技有限公司11年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
265209 |
假一罚十原包原标签常备现货! |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
50000 |
23+ |
全新原装正品现货,支持订货 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司10年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
23+ |
全新原装真实库存含13点增值税票! |
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易创佳业科技（深圳）有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
23+ |
原装正品，支持实单 |
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深圳市创新迹电子有限公司1年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
25000 |
22+ |
只做原装进口现货,专注配单 |
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深圳市宏捷佳电子科技有限公司2年
留言
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FAIRCHILDTO-TO-220 |
12300 |
24+ |
独立分销商,公司只做原装,诚心经营,免费试样正品保证 |
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深圳市国宇半导体科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
10000 |
23+ |
公司只做原装正品 |
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深圳市河锋鑫科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
6000 |
22+ |
十年配单,只做原装 |
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深圳市威尔健半导体有限公司4年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO-220 |
12 |
23+ |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO-220 |
907 |
23+ |
原厂订货渠道,支持BOM配单一站式服务 |
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深圳市金华微盛电子有限公司5年
留言
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FAIRCHILDTO-220 |
25666 |
19+ |
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深圳市得捷芯城科技有限公司5年
留言
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FAIRCHILD/仙童NA/ |
2855 |
23+ |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
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深圳市高捷芯城科技有限公司5年
留言
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onsemi(安森美)TO220 |
7350 |
23+ |
现货供应,当天可交货!免费送样,原厂技术支持!!! |
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深圳市明嘉莱科技有限公司3年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
880000 |
24+ |
明嘉莱只做原装正品现货 |
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深圳兆威电子有限公司6年
留言
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FAIRCHILD/仙童TO220 |
90000 |
23+ |
只做原厂渠道价格优势可提供技术支持 |
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深圳市华博特电子有限公司6年
留言
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ONSEMINA |
9000 |
23/22+ |
代理渠道.实单必成 |
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深圳市科恒伟业电子有限公司9年
留言
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FAITO220 |
6528 |
2018+ |
只做原装正品假一赔十!只要网上有上百分百有库存放心 |
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深圳市卓越微芯电子有限公司10年
留言
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FSCTO-220剪 |
2860 |
2020+ |
百分百原装正品 真实公司现货库存 本公司只做原装 可 |
KSD560R采购信息快速发布，第一时间取得供应商价格！
KSD560R图片
KSD560RTU价格
KSD560RTU价格：￥1.6445品牌：Fairchild
生产厂家品牌为Fairchild的KSD560RTU多少钱，想知道KSD560RTU价格是多少？参考价：￥1.6445。这里提供2024年最近一周走势，供应商今日竞价，代理商今日出价，KSD560RTU批发价格及采购报价，KSD560RTU销售排行榜及行情走势，KSD560RTU报价。
KSD560RTSTU中文资料Alldatasheet PDF
更多KSD560R功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
KSD560RTSTU功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl; Short Leads RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
KSD560RTSTU_Q功能描述:达林顿晶体管 Short Leads RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
KSD560RTU功能描述:达林顿晶体管 NPN Epitaxial Sil Darl RoHS:否 制造商:Texas Instruments 配置:Octal 晶体管极性:NPN 集电极—发射极最大电压 VCEO:50 V 发射极 - 基极电压 VEBO: 集电极—基极电压 VCBO: 最大直流电集电极电流:0.5 A 最大集电极截止电流: 功率耗散: 最大工作温度:+ 150 C 安装风格:SMD/SMT 封装 / 箱体:SOIC-18 封装:Reel
产品属性
- 产品编号：
KSD560R
- 制造商：
onsemi
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - 双极性晶体管（BJT）- 单个
- 包装：
管件
- 晶体管类型：
NPN - 达林顿
- 不同 Ib、Ic 时 Vce 饱和压降（最大值）：
1.5V @ 3mA，3A
- 电流 - 集电极截止（最大值）：
1µA（ICBO）
- 不同 Ic、Vce 时 DC 电流增益 (hFE)（最小值）：
2000 @ 3A，2V
- 工作温度：
150°C（TJ）
- 安装类型：
通孔
- 封装/外壳：
TO-220-3
- 供应商器件封装：
TO-220-3
- 描述：
TRANS NPN DARL 100V 5A TO220-3
