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HAT2218R

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

文件:139.35 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2218R

Dual N-Channel MOSFET uses advanced trench technology

文件:1.52038 Mbytes 页数:4 Pages

DOINGTER

杜因特

HAT2218R-EL-E

Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

文件:139.35 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

HAT2218R

Transistors>Switching/MOSFETs

Renesas

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    HAT2218

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N Channel Power MOS FET with Schottky Barrier Diode High Speed Power Switching

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
Renesas(瑞萨)
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更多HAT2218供应商 更新时间2025-12-19 14:45:00