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IQXO-821	文件：1.24076 Mbytes Page：2 Pages	CrystalClockOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IRF821	文件：322.92 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowerRDS(ON) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowerinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability	SamsungSamsung Group 三星三星半导体	Samsung
IRF821	文件：157.18 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,3.0A,450V/500V	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF821	文件：140.22 Kbytes Page：2 Pages	N-CHANNELEnhancement-ModeSiliconGateTMOS PowerFieldEffectTransistor N-ChannelEnhancement-ModeSiliconGateTMOS TMOSPOWERFETs2and2.5AMPERESrDS(on)=3OHM450and500VOLTS rDS(on)=4OHM450VOLTS	MotorolaMotorola, Inc 摩托罗拉	Motorola
IRF821	文件：381.94 Kbytes Page：5 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs	ARTSCHIP ARTSCHIP ELECTRONICS CO.,LMITED.	ARTSCHIP
IRF821	文件：68.51 Kbytes Page：3 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFS821	文件：270.69 Kbytes Page：2 Pages	iscN-ChannelMOSFETTransistor	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
KLM-821G	文件：165.34 Kbytes Page：2 Pages	LightEmittingDiode(GaN) LightEmittingDiode(GaN) KLM-821Ghasa1WHighpowerGaNgreenLEDandhastheoptimizedopticalcharacteristics. Features •Lowforwardvoltageoperated •MoreEnergyEfficientthanincandescentand mosthalogenlampes Applications •Portableflashlight •Bollards,Security,Gardenlig	KODENSHIKodenshi Group 可天士可天士光电子集团	KODENSHI
KM821K	文件：34.04 Kbytes Page：1 Pages	R.F.MoldedChokes [OhmiteMfg.Co.]	ETC1List of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC1
KRC821E	文件：113.64 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) WithBuilt-inBiasResistors. SimplifyCircuitDesign. ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC
KRC821U	文件：113.96 Kbytes Page：6 Pages	EPITAXIALPLANARNPNTRANSISTOR(SWITCHING,INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUIT) SWITCHINGAPPLICATION. INTERFACECIRCUITANDDRIVERCIRCUITAPPLICATION. FEATURES ●WithBuilt-inBiasResistors. ●SimplifyCircuitDesign. ●ReduceaQuantityofPartsandManufacturingProcess. ●HighPackingDensity.	KECKEC CORPORATION KEC株式会社	KEC

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产品属性

产品编号：
HAK821KBABRAKR
制造商：
Vishay Beyschlag/Draloric/BC Components
类别：
电容器 > 陶瓷电容器
系列：
HAK
包装：
卷带（TR）
容差：
±10%
电压 - 额定：
1000V（1kV）
工作温度：
-40°C ~ 125°C
特性：
高电压
应用：
通用
安装类型：
通孔
封装/外壳：
径向，圆片式
引线样式：
直形
描述：
CAP CER 820PF 1KV RADIAL

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更多HAK821KBABRAKR供应商更新时间2024-6-6 10:54:00

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