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H7N1004M

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • RDS(on)= 25 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

文件:112.25 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1004AB

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS (on)=25 mΩ typ. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

文件:110.25 Kbytes 页数:8 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1004DL

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

文件:121.26 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

H7N1004DL-E

Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

Features • Low on-resistance RDS(on)= 25 mΩt yp. • Low drive current • Available for 4.5 V gate drive

文件:121.26 Kbytes 页数:9 Pages

RENESAS

瑞萨

详细参数

  • 型号:

    H7N1004M

  • 制造商:

    RENESAS

  • 制造商全称:

    Renesas Technology Corp

  • 功能描述:

    Silicon N-Channel MOSFET High-Speed Power Switching

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更多H7N1004M供应商 更新时间2025-12-15 14:43:00