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H5N2522FP-E0-E	文件：98.2 Kbytes Page：6 Pages	250V - 12A - MOS FET High Speed Power Switching Features  Low on-resistance RDS(on) = 0.13  typ. (at ID = 6 A, VGS = 10 V, Ta = 25C)  Low leakage current  High speed switching  Built-in fast recovery diode 文件：98.2 Kbytes 页数：6 Pages	RENESAS 瑞萨	RENESAS
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更多H5N2522FP-E0-E供应商更新时间2026-1-29 14:02:00