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H5N3003P

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

Features • Low on-resistance • Low leakage current • High Speed Switching

文件:133.53 Kbytes 页数:10 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N3003P

Power MOSFETs and IGBT for PDP

文件:136.18 Kbytes 页数:2 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N3003P_15

Silicon N Channel MOS FET High Speed Power Switching

文件:143.63 Kbytes 页数:12 Pages

RENESAS

瑞萨

H5N3003P

Power MOSFETs

Renesas

瑞萨

技术参数

  • 封装类型:

    TO-3P

  • Nch/Pch:

    Nch

  • 通道数:

    Single

  • VDSS (V) 最大值:

    300

  • ID (A):

    40

  • RDS (ON)(mΩ) 最大值@10V或8V:

    69

  • Ciss (pF) 典型值:

    5150

  • Vgs (off) (V) 最大值:

    4

  • VGSS (V):

    30

  • Pch (W):

    150

  • 应用:

    Industrial

  • 安装类型:

    Through Hole

  • QG (nC) 典型值:

    130

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更多H5N3003P供应商 更新时间2025-10-5 9:00:00