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H2N6427

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

Description Darlington Transistor

文件:35.2 Kbytes 页数:3 Pages

HSMC

华昕

H2N6427

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

HSMC

华昕

2N6427

Darlington Transistors(NPN Silicon)

Darlington Transistors NPN Silicon Features • Pb−Free Packages are Available** • Device Marking: Device Type, e.g., 2N6426, Date Code

文件:153.51 Kbytes 页数:6 Pages

ONSEMI

安森美半导体

2N6427

NPN Darlington transistor

DESCRIPTION NPN Darlington transistor in a TO-92; SOT54 plastic package. FEATURES • High current (max. 500 mA) • Low voltage (max. 30 V) • High DC current gain (min. 10000). APPLICATIONS • General purpose • High gain amplification.

文件:49.12 Kbytes 页数:8 Pages

PHI

PHI

PHI

2N6427

NPN EPITAXIAL SILICON DARLINGTON TRANSISTOR

DARLINGTON TRANSISTOR • Collector-Emitter Voltage: VCEO = 40V • Collector Dissipation: PC(max) = 625mW

文件:67.95 Kbytes 页数:2 Pages

SAMSUNG

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更多H2N6427供应商 更新时间2026-4-2 16:30:00