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H2N6427	文件：35.2 Kbytes Page：3 Pages	NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR Description DarlingtonTransistor	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC
2N6427	文件：111.97 Kbytes Page：8 Pages	DarlingtonTransistors	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6427	文件：93.89 Kbytes Page：2 Pages	NPNDarlingtonTransistor NPNDarlingtonTransistor Thisdeviceisdesignedforapplicationsrequiringextremely highcurrentgainatcollectorcurrentsto1.0A.Sourcedfrom Process05.SeeMPSA14forcharacteristics.	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
2N6427	文件：67.95 Kbytes Page：2 Pages	NPNEPITAXIALSILICONDARLINGTONTRANSISTOR DARLINGTONTRANSISTOR •Collector-EmitterVoltage:VCEO=40V •CollectorDissipation:PC(max)=625mW	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
2N6427	文件：49.12 Kbytes Page：8 Pages	NPNDarlingtontransistor DESCRIPTION NPNDarlingtontransistorinaTO-92;SOT54plasticpackage. FEATURES •Highcurrent(max.500mA) •Lowvoltage(max.30V) •HighDCcurrentgain(min.10000). APPLICATIONS •Generalpurpose •Highgainamplification.	PhilipsNXP Semiconductors 飞利浦荷兰皇家飞利浦	Philips
2N6427	文件：153.51 Kbytes Page：6 Pages	DarlingtonTransistors(NPNSilicon) DarlingtonTransistors NPNSilicon Features •Pb−FreePackagesareAvailable** •DeviceMarking:DeviceType,e.g.,2N6426,DateCode	ONSEMION Semiconductor 安森美半导体安森美半导体公司	ONSEMI
2N6427	文件：472.29 Kbytes Page：10 Pages	NPNDarlingtonTransistor	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
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