H11G3隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF中文资料
H11G3规格书详情
DESCRIPTION
The H11GX series are photodarlington-type optically coupled optocouplers. These devices have a gallium arsenide infrared emitting diode coupled with a silicon darlington connected phototransistor which has an integral base-emitter resistor to optimize elevated temperature characteristics.
FEATURES
• High BVCEO
- Minimum 100 V for H11G1
- Minimum 80 V for H11G2
- Minimum 55 V for H11G3
• High sensitivity to low input current
Minimum 500 percent CTR at IF = 1 mA
• Low leakage current at elevated temperature (maximum 100 µA at 80°C)
• Underwriters Laboratory (UL) recognized File# E90700
APPLICATIONS
• CMOS logic interface
• Telephone ring detector
• Low input TTL interface
• Power supply isolation
• Replace pulse transformer
产品属性
- 产品编号：
H11G33SD
- 制造商：
onsemi
- 类别：
隔离器 > 光隔离器 - 晶体管，光电输出
- 包装：
管件
- 电压 - 隔离：
5300Vrms
- 电流传输比（最小值）：
200% @ 1mA
- 接通 / 关断时间（典型值）：
5µs，100µs
- 输入类型：
DC
- 输出类型：
有基极的达林顿晶体管
- 电压 - 输出（最大值）：
55V
- 电压 - 正向 (Vf)（典型值）：
1.3V
- Vce 饱和压降（最大）：
1.2V
- 工作温度：
-55°C ~ 100°C
- 安装类型：
表面贴装型
- 封装/外壳：
6-SMD，鸥翼
- 供应商器件封装：
6-SMD
- 描述：
OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
ISOCOM |
24+ |
NA/ |
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DIP6 |
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