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H11G2隔离器的光隔离器-晶体管光电输出规格书PDF中文资料

H11G2
厂商型号

H11G2

参数属性

H11G2 封装/外壳为6-SMD,鸥翼;包装为管件;类别为隔离器的光隔离器-晶体管光电输出;产品描述:OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

功能描述

6-Pin DIP Optoisolators Darlington Output(On-Chip Resistors)

封装外壳

6-SMD,鸥翼

文件大小

300.16 Kbytes

页面数量

6

生产厂商 Motorola, Inc
企业简称

MOTOROLA摩托罗拉

中文名称

加尔文制造公司官网

原厂标识
数据手册

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更新时间

2025-6-21 23:00:00

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H11G2规格书详情

The H11G1, H11G2 and H11G3 devices consist of gallium arsenide IREDs optically coupled to silicon photodarlington detectors which have integral base–emitter resistors. The on–chip resistors improve higher temperature leakage characteristics. Designed with high isolation, high CTR, high voltage and low leakage, they provide excellent performance.

• High CTR, H11G1 & H11G2 — 1000 (@ IF = 10 mA), 500 (@ IF = 1 mA)

• High V(BR)CEO, H11G1 — 100 Volts, H11G2 — 80 Volts

• To order devices that are tested and marked per VDE 0884 requirements, the

suffix ”V” must be included at end of part number. VDE 0884 is a test option.

Applications

• Interfacing and coupling systems of different potentials and impedances

• Phase and Feedback Controls

• General Purpose Switching Circuits

• Solid State Relays

产品属性

  • 产品编号:

    H11G23SD

  • 制造商:

    onsemi

  • 类别:

    隔离器 > 光隔离器 - 晶体管,光电输出

  • 包装:

    管件

  • 电压 - 隔离:

    5300Vrms

  • 电流传输比(最小值):

    1000% @ 10mA

  • 接通 / 关断时间(典型值):

    5µs,100µs

  • 输入类型:

    DC

  • 输出类型:

    有基极的达林顿晶体管

  • 电压 - 输出(最大值):

    80V

  • 电压 - 正向 (Vf)(典型值):

    1.3V

  • Vce 饱和压降(最大):

    1V

  • 工作温度:

    -55°C ~ 100°C

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    6-SMD,鸥翼

  • 供应商器件封装:

    6-SMD

  • 描述:

    OPTOISO 5.3KV DARL W/BASE 6SMD

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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