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NDF02N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDF02N60ZH

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.8

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDP02N60Z

iscN-ChannelMOSFETTransistor

FEATURES ·DrainCurrent-ID=2.4A@TC=25℃ ·DrainSourceVoltage-VDSS=600V(Min) ·StaticDrain-SourceOn-Resistance -RDS(on)=4.8Ω(Max)@VGS=10V DESCRIPTION ·Motordrive,DC-DCconverter,powerswitch andsolenoiddrive.

ISCInchange Semiconductor Company Limited

无锡固电无锡固电半导体股份有限公司

NDP02N60ZG

N-ChannelPowerMOSFET600V,4.0

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

NDT02N60Z

N-ChannelPowerMOSFET

ONSEMION Semiconductor

安森美半导体安森美半导体公司

PJM02N60SA

N-EnhancementModeFieldEffectTransistor

PJSEMIDongguan Pingjingsemi Technology Co., Ltd,

平晶半导体东莞市平晶半导体科技有限公司

SDU02N60

N-Channel650V(D-S)MOSFET

VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd

微碧半导体微碧半导体(台湾)有限公司

SDUD02N60

SuperhighdensecelldesignforlowRDS(ON).

SamhopSamHop Microelectronics Corp.

三合微科三合微科股份有限公司

SGB02N60

FastIGBTinNPT-technology75lowerEoffcomparedtopreviousgeneration

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

SGB02N60

FASTIGBTINNPTTECHNOLOGY

FastIGBTinNPT-technology •75lowerEoffcomparedtopreviousgenerationcombinedwithlowconductionlosses •Shortcircuitwithstandtime–10µs •Designedfor: -Motorcontrols -Inverter •NPT-Technologyfor600Vapplicationsoffers: -verytightparameterdistribution

InfineonInfineon Technologies AG

英飞凌英飞凌科技股份公司

详细参数

  • 型号:

    H02N60F

  • 制造商:

    HSMC

  • 制造商全称:

    HSMC

  • 功能描述:

    N-Channel Power Field Effect Transistor

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
HSMC
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NA
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TO-220F
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TO-220F
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原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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TO-220F
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原装正品,支持实单
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一级代理 原装正品假一罚十价格优势长期供货
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更多H02N60F供应商 更新时间2025-7-29 17:00:00