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GTVA262711FA-V2-R0分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GTVA262711FA-V2-R0 |
| 参数属性 | GTVA262711FA-V2-R0 封装/外壳为H-87265J-2；包装为卷带（TR）；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 300 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封装外壳 | H-87265J-2 |
| 文件大小 |
464.07 Kbytes |
| 页面数量 |
9 页 |
| 生产厂商 | Cree |
| 中文名称 | 科锐 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 11:10:00 |
| 人工找货 | GTVA262711FA-V2-R0价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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- 产品编号：
GTVA262711FA-V2-R0
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GaN
- 包装：
卷带（TR）
- 晶体管类型：
HEMT
- 频率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
18dB
- 功率 - 输出：
70W
- 封装/外壳：
H-87265J-2
- 供应商器件封装：
H-87265J-2
- 描述：
GAN HEMT 48V 300W 2496-2690MHZ
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
SOSHIN |
23+ |
SMD-10 |
88000 |
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询价 | ||
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23+ |
SMD |
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23+ |
SMD |
50000 |
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UNIDUXHONGKONGLTD |
24+ |
SMD |
49000 |
询价 | |||
SOSHIN |
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SMD |
1000 |
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询价 | ||
SOSHIN |
ROHS |
13352 |
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2021+ |
10000 |
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7000 |
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