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GTVA261802FC-V1-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

厂商型号 |
GTVA261802FC-V1-R2 |
参数属性 | GTVA261802FC-V1-R2 封装/外壳为H-37248C-4;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 170 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
封装外壳 | H-37248C-4 |
文件大小 |
495.3 Kbytes |
页面数量 |
8 页 |
生产厂商 | Cree, Inc |
企业简称 |
Cree【科锐】 |
中文名称 | 科锐官网 |
原厂标识 | ![]() |
数据手册 | |
更新时间 | 2025-5-17 8:00:00 |
人工找货 | GTVA261802FC-V1-R2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
产品属性
- 产品编号:
GTVA261802FC-V1-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GaN
- 包装:
带
- 晶体管类型:
HEMT
- 频率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
16.8dB
- 功率 - 输出:
170W
- 封装/外壳:
H-37248C-4
- 供应商器件封装:
H-37248C-4
- 描述:
180W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
---|---|---|---|---|---|---|---|
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Wolfspeed, Inc. |
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H-37248C-4 |
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晶体管-分立半导体产品-原装正品 |
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