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GTVA262701FA-V2-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料

| 厂商型号 |
GTVA262701FA-V2-R2 |
| 参数属性 | GTVA262701FA-V2-R2 封装/外壳为H-87265J-2;包装为带;类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频;产品描述:270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封装外壳 | H-87265J-2 |
| 文件大小 |
489 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Cree |
| 中文名称 | 科锐 |
| 网址 | |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-11-30 17:30:00 |
| 人工找货 | GTVA262701FA-V2-R2价格和库存,欢迎联系客服免费人工找货 |
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- 产品编号:
GTVA262701FA-V2-R2
- 制造商:
Wolfspeed, Inc.
- 类别:
分立半导体产品 > 晶体管 - FET,MOSFET - 射频
- 系列:
GaN
- 包装:
带
- 晶体管类型:
HEMT
- 频率:
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益:
17dB
- 功率 - 输出:
270W
- 封装/外壳:
H-87265J-2
- 供应商器件封装:
H-87265J-2
- 描述:
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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