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GTVA262701FA-V2-R2分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频规格书PDF中文资料
| 厂商型号 |
GTVA262701FA-V2-R2 |
| 参数属性 | GTVA262701FA-V2-R2 封装/外壳为H-87265J-2；包装为带；类别为分立半导体产品的晶体管-FETMOSFET-射频；产品描述：270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH |
| 功能描述 | Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 ??2690 MHz |
| 封装外壳 | H-87265J-2 |
| 文件大小 |
489 Kbytes |
| 页面数量 |
8 页 |
| 生产厂商 | Cree, Inc |
| 企业简称 |
Cree【科锐】 |
| 中文名称 | 科锐官网 |
| 原厂标识 |  |
| 数据手册 | |
| 更新时间 | 2025-5-23 16:17:00 |
| 人工找货 | GTVA262701FA-V2-R2价格和库存，欢迎联系客服免费人工找货 |
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更多产品属性
- 产品编号：
GTVA262701FA-V2-R2
- 制造商：
Wolfspeed, Inc.
- 类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
- 系列：
GaN
- 包装：
带
- 晶体管类型：
HEMT
- 频率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
- 增益：
17dB
- 功率 - 输出：
270W
- 封装/外壳：
H-87265J-2
- 供应商器件封装：
H-87265J-2
- 描述：
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
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H-87265J-2 |
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