GTVA262701FA-V2-R2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 WOLFSPEED

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厂家型号：
GTVA262701FA-V2-R2
产品分类：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
生产厂商：
Wolfspeed
库存数量：
6000
产品封装：
SMD
生产批号：
3年内
库存类型：
热卖库存
更新时间：
2025-7-30 17:30:00

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详细信息
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原厂料号：GTVA262701FA-V2-R2品牌：Wolfspeed

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GTVA262701FA-V2-R2是分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频。制造商Wolfspeed/Wolfspeed, Inc.生产封装SMD/H-87265J-2的GTVA262701FA-V2-R2晶体管 - FET，MOSFET - 射频射频晶体管、FET 和 MOSFET 是具有三个端子的半导体器件，器件中电流受电场控制。该系列器件用于涉及射频的设备。用于放大或切换信号或功率的晶体管类型包括：E-pHEMT、LDMOS、MESFET、N 沟道、P 沟道、pHEMT、碳化硅、2 N 沟道和 4 N 沟道。

芯片型号：
GTVA262701FA-V2-R2
规格书：
下载下载2
企业简称：
WOLFSPEED详情
厂商全称：
WOLFSPEED, INC.
内容页数：
8 页
文件大小：
506.76 kb
资料说明：
Thermally-Enhanced High Power RF GaN on SiC HEMT 270 W, 48 V, 2620 – 2690 MHz

产品属性

类型
描述
产品编号：
GTVA262701FA-V2-R2
制造商：
Wolfspeed, Inc.
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - FET，MOSFET - 射频
系列：
GaN
包装：
带
晶体管类型：
HEMT
频率：
2.62GHz ~ 2.69GHz
增益：
17dB
功率 - 输出：
270W
封装/外壳：
H-87265J-2
供应商器件封装：
H-87265J-2
描述：
270W, GAN HEMT, 48V, 2496-2690MH

供应商

企业：
深圳市英博尔电子有限公司
商铺：
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GTVA262701FA-V2-R2 分立半导体产品晶体管 - FET，MOSFET - 射频 WOLFSPEED

GTVA262701FA-V2-R2

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