GT8G133(TE12L 分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单 Q)

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原厂料号:GT8G133(TE12L品牌:Q)

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GT8G133(TE12L是分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单。制造商Q)/Toshiba Semiconductor and Storage生产封装11+/8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)的GT8G133(TE12L晶体管 - UGBT、MOSFET - 单单 IGBT(绝缘栅双极晶体管)是一种具有三个端子的多层半导体器件,能够处理大电流,具有快速开关特性。其特征参数包括类型、集射极击穿电压、集电极电流、脉冲集电极电流、VCE(ON)、开关能量和栅极电荷。

  • 芯片型号:

    GT8G133(TE12L

  • 规格书:

    下载 下载2

  • 资料说明:

    IGBT 晶体管 IGBT, 400V, 150A

产品属性

  • 类型

    描述

  • 产品编号:

    GT8G133(TE12L,Q)

  • 制造商:

    Toshiba Semiconductor and Storage

  • 类别:

    分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单

  • 包装:

    管件

  • 不同 Vge、Ic 时 Vce(on)(最大值):

    2.9V @ 4V,150A

  • 输入类型:

    标准

  • 25°C 时 Td(开/关)值:

    1.7µs/2µs

  • 工作温度:

    150°C(TJ)

  • 安装类型:

    表面贴装型

  • 封装/外壳:

    8-TSSOP(0.173",4.40mm 宽)

  • 供应商器件封装:

    8-TSSOP

  • 描述:

    IGBT 400V 600MW 8TSSOP

供应商

  • 企业:

    深圳市振鑫微电子科技有限公司

  • 商铺:

    进入商铺

  • 联系人:

    肖先生 张小姐 李先生

  • 手机:

    15889769346

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    0755-86727549

  • 地址:

    深圳市龙岗区坂田街道环城南路5号凯腾大厦502