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GT8G133(TE12L,Q)	文件：100 bytes Page：1 Pages	包装：管件封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 400V 600MW 8TSSOP	Toshiba Semiconductor and Storage Toshiba Semiconductor and Storage	Toshiba Semiconductor and Storage
GT8G133	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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GT8G133(TE12L,Q)

文件：100 bytes

Page：1 Pages

包装：管件封装/外壳：8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）类别：分立半导体产品晶体管 - UGBT、MOSFET - 单描述：IGBT 400V 600MW 8TSSOP

Toshiba Semiconductor and Storage

GT8G133

文件：1.58274 Mbytes

Page：73 Pages

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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GT8G133

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StrobeFlashApplications

StrobeFlashApplications •CompactandThin(TSSOP-8)package •Enhancement-mode •4-Vgatedrivevoltage:VGE=4.0V(min)(@IC=150A) •Peakcollectorcurrent:IC=150A(max)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

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产品属性

产品编号：
GT8G133(TE12L,Q)
制造商：
Toshiba Semiconductor and Storage
类别：
分立半导体产品 > 晶体管 - UGBT、MOSFET - 单
包装：
管件
不同 Vge、Ic 时 Vce(on)（最大值）：
2.9V @ 4V，150A
输入类型：
标准
25°C 时 Td（开/关）值：
1.7µs/2µs
工作温度：
150°C（TJ）
安装类型：
表面贴装型
封装/外壳：
8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽）
供应商器件封装：
8-TSSOP
描述：
IGBT 400V 600MW 8TSSOP

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市联世界科技有限公司（原深创辉科技）	GT8G133(TE12L,Q)	TOSHIBA	11+		6000	原装正品长期供货，如假包赔包换徐小姐13714450367	询价
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深圳市芯福林电子科技有限公司	GT8G133(TE12LQ)	Toshiba Semiconductor and Stor	21+	8TSSOP	13880	公司只售原装,支持实单	询价
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深圳市大联智电子有限公司	GT8G133其他被动元件	TOSHIBA/东芝	22+	TSSOP8	354000		询价
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