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GT40T301	文件：311.21 Kbytes Page：6 Pages	InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT ParallelResonanceInverterSwitchingApplications •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancementmodetype •HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=−20A/μs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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GT40T301

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InsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

ParallelResonanceInverterSwitchingApplications •FRDincludedbetweenemitterandcollector •Enhancementmodetype •HighspeedIGBT:tf=0.25μs(typ.)(IC=40A) FRD:trr=0.7μs(typ.)(di/dt=−20A/μs) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=3.7V(

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更多GT40T301其他被动元件供应商更新时间2024-5-3 14:00:00

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