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GT40G121	文件：151.35 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT The4thGeneration CurrentResonanceInverterSwitchingApplications •Enhancement-mode •Highspeed:tf=0.30µs(typ.)(IC=60A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.8V(typ.)(IC=60A)	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA

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GT40G121

文件：151.35 Kbytes

Page：5 Pages

TOSHIBAInsulatedGateBipolarTransistorSiliconNChannelIGBT

The4thGeneration CurrentResonanceInverterSwitchingApplications •Enhancement-mode •Highspeed:tf=0.30µs(typ.)(IC=60A) •Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=1.8V(typ.)(IC=60A)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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更多GT40G121功率三极管供应商更新时间2024-6-6 14:00:00

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