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GT40G121	文件：151.35 Kbytes Page：5 Pages	TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications • Enhancement-mode • High speed: tf = 0.30 µs (typ.) (IC = 60 A) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 1.8 V (typ.) (IC = 60 A) 文件：151.35 Kbytes 页数：5 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT40G121	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT The 4th Generation Current Resonance Inverter Switching Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
GT432A-2ZLI	文件：0 bytes Page：0 Pages	TSSOP	ISSI 矽成半导体上传：深圳市天地昆电子有限公司	ISSI
GT-48331-P-0	文件：0 bytes Page：0 Pages	TQFP100	GALILEO 上传：深圳市旺财半导体有限公司	GALILEO
GT48350-A3-PBN-C000	文件：0 bytes Page：0 Pages	QFP	MARVELL 美满上传：深圳庞田科技有限公司	MARVELL

详细参数

型号：
GT40G121
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
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上海金庆电子技术有限公司	GT40G121	TOSHIBA	01+	TO-220-3	452		询价
深圳市博中泰实业有限公司	GT40G121功率三极管	TOSHIBA/东芝	24+	TO220F	60000	全新原装现货	询价
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深圳市粤骏腾电子科技有限公司	GT40J121	XTW	24+	QFN	30733	绝对原厂支持只做自己现货优势	询价
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