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GT20D101	文件：168.51 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATION) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：168.51 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20D101	文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages	Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes 页数：16 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT20D101	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
MDE-20D101	文件：77.54 Kbytes Page：1 Pages	Metal Oxide Varistors 文件：77.54 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MDE-20D101K	文件：77.54 Kbytes Page：1 Pages	Metal Oxide Varistors 文件：77.54 Kbytes 页数：1 Pages	ETCList of Unclassifed Manufacturers 未分类制造商	ETC
MDE-20D101K	文件：28.96 Kbytes Page：1 Pages	Metal Oxide Varistors Metal Oxide Varistors Standard D Series 20 mm Disc 文件：28.96 Kbytes 页数：1 Pages	MDE	MDE

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