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GT20D201

P CHANNEL TYPE (HIGH POWER AMPLIFIER APPLICATIONS)

Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC(

文件:169.07 Kbytes 页数:3 Pages

TOSHIBA

东芝

GT20D201

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes 页数:16 Pages

TOSHIBA

东芝

GT20D201

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON P CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATION

Toshiba

东芝

MDE-20D201K

Metal Oxide Varistors

Metal Oxide Varistors Standard D Series 20 mm Disc

文件:28.96 Kbytes 页数:1 Pages

MDE

MDE-20D201K

Metal Oxide Varistors

文件:77.54 Kbytes 页数:1 Pages

ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

MOV-20D201K

High voltage rating

文件:689.74 Kbytes 页数:4 Pages

BOURNS

伯恩斯

详细参数

  • 型号:

    GT20D201

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip P-CH 250V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PL

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOSHIBA
06+
TO-3PL
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TOSHIBA
2015+
SOP/DIP
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TO-3PL
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TOHSIBA
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TO-
6000
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模块
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23+
TO-264
7000
专注配单,只做原装进口现货
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IR
23+
TO-262
50000
全新原装正品现货,支持订货
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POWER
23+
TO-262
10000
原厂授权一级代理,专业海外优势订货,价格优势、品种
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更多GT20D201供应商 更新时间2026-4-17 14:03:00