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GT20J101 | TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications • Third-generation IGBT • Enhancement mode type • High speed: tf = 0.30 μs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) 文件：259.67 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT20J101 | Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT20J101 | Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：191.19 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA | |
GT20J101 | Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications | Toshiba 东芝 | Toshiba | |
Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications 文件：191.19 Kbytes 页数：6 Pages | TOSHIBA 东芝 | TOSHIBA |
详细参数
- 型号：
GT20J101
- 制造商：
Toshiba America Electronic Components
- 功能描述：
Trans IGBT Chip N-CH 600V 20A 3-Pin(3+Tab) TO-3PN
- 功能描述：
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 20A 3PIN TO-3P(N) - Rail/Tube
- 功能描述：
IGBT 600V TO-3P(N)
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
TOS |
23+ |
TO-220 |
500 |
专做原装正品,假一罚百! |
询价 | ||
TOSHIBA |
18+ |
TO-3P |
85600 |
保证进口原装可开17%增值税发票 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
18+ |
TO-247AC |
41200 |
原装正品,现货特价 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
2447 |
TO-220 |
100500 |
一级代理专营品牌!原装正品,优势现货,长期排单到货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
23+ |
TO-247 |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOS |
23+ |
DIP |
50000 |
全新原装正品现货,支持订货 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
22+ |
TO-3P(N) |
6000 |
十年配单,只做原装 |
询价 | ||
TOS |
07+ |
DIP |
300 |
一级代理,专注军工、汽车、医疗、工业、新能源、电力 |
询价 | ||
TOS |
23+ |
场效应管 |
9650 |
正品原装货价格低 |
询价 | ||
TOSHIBA/东芝 |
24+ |
NA/ |
12388 |
优势代理渠道,原装正品,可全系列订货开增值税票 |
询价 |
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