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20J321

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

GT20J321

BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

GT20J321

SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社东芝

GT20J321

HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications

HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Enhancementmodetype •Fastswitching(FS):Operatingfrequencyupto50kHz(reference) Highspeed:tf=0.04μs(typ.) Lowswitchingloss:Eon=0.40mJ(typ.)

TOSHIBAToshiba Semiconductor

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详细参数

  • 型号:

    GT20J321(Q)

  • 功能描述:

    IGBT 晶体管 IGBT, 600V, 20A

  • RoHS:

  • 制造商:

    Fairchild Semiconductor

  • 配置:

    集电极—发射极最大电压

  • VCEO:

    650 V

  • 集电极—射极饱和电压:

    2.3 V

  • 栅极/发射极最大电压:

    20 V 在25

  • C的连续集电极电流:

    150 A

  • 栅极—射极漏泄电流:

    400 nA

  • 功率耗散:

    187 W

  • 封装/箱体:

    TO-247

  • 封装:

    Tube

供应商型号品牌批号封装库存备注价格
TOS
24+
TO-220F-3
8866
询价
东芝TOSHIBA
23+
TO-220F
3000
全新原装
询价
TOSHIBA
24+
TO-220F
80000
只做自己库存,全新原装进口正品假一赔百,可开13%增
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TOSHIBA
21+
TO-220F
1499
原装现货假一赔十
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TOSHIBA/东芝
23+
TO220F
50000
全新原装正品现货,支持订货
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TOSHIBA/东芝
24+
TO220F
60000
全新原装现货
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TOSHIBA
21+
TO-220F
12588
原装正品,自己库存 假一罚十
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TOSHIBA/东芝
TO-220F
22+
6000
十年配单,只做原装
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TOSHIBA/东芝
22+
TO-220F
25000
只做原装进口现货,专注配单
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更多GT20J321(Q)供应商 更新时间2025-6-25 16:30:00