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15J321	文件：195.46 Kbytes Page：7 Pages	SiliconNChannelIGBTHighPowerSwitchingApplications	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
15J321	文件：311.69 Kbytes Page：7 Pages	HighPowerSwitchingApplicationsFastSwitchingApplications HighPowerSwitchingApplications FastSwitchingApplications •Fourth-generationIGBT •Fastswitching(FS •Enhancementmodetype •Highspeed:tf=0.03μs(typ.) •LowsaturationVoltage:VCE(sat)=1.90V(typ.) •FRDincludedbetweenemitterandcollector	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
GT15J321	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	BipolarSmall-SignalTransistors MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社东芝
GT200HF120T2VHE	文件：0 bytes Page：0 Pages	SILVERMICRO/银茂微 IGBT模块	SILVERMICRO/银茂微上传：深圳市芯纬度科技有限公司	SILVERMICRO/银茂微
GT-2220	文件：0 bytes Page：0 Pages	TOKIN 电源滤波器	TOKINTokin Corporation 东金株式会社上传：揭阳普宁铝壳电阻	TOKIN

详细参数

型号：
GT15J321(Q)
功能描述：
IGBT 晶体管 600V/15A DIS+FRD
RoHS：
否
制造商：
Fairchild Semiconductor
配置：
集电极—发射极最大电压
VCEO：
650 V
集电极—射极饱和电压：
2.3 V
栅极/发射极最大电压：
20 V 在25
C的连续集电极电流：
150 A
栅极—射极漏泄电流：
400 nA
功率耗散：
187 W
封装/箱体：
TO-247
封装：
Tube

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深圳市安富世纪电子有限公司	GT15J321(S4MIDEA,Q)	TOSHIBA/东芝	23+	IGBT	6500	专注配单,只做原装进口现货	询价
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更多GT15J321(Q)供应商更新时间2025-8-2 10:13:00

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