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GT15M321	文件：269.01 Kbytes Page：6 Pages	TOSHIBA INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS • Fourth-generation IGBT • FRD included between emitter and collector • Enhancement mode type • High speed : tf = 0.20 μs (TYP.) (IC = 15 A) • Low saturation voltage : VCE (sat) = 1.8V (TYP.) (IC = 15A 文件：269.01 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT15M321	文件：1.58274 Mbytes Page：73 Pages	Bipolar Small-Signal Transistors MOS GT30F126 30F126 30A/330V IGBT TO-220F Toshiba 30F126 GT30F126 Reference site : http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html Reference PDF (30F124, 30F125, 30F127, 30F128, 30F131) : http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf 文件：1.58274 Mbytes 页数：73 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT15M321	文件：426.52 Kbytes Page：6 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：426.52 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT15M321	文件：300 bytes Page：1 Pages	INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS	Toshiba 东芝	Toshiba
GT15M321_06	文件：426.52 Kbytes Page：6 Pages	HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS 文件：426.52 Kbytes 页数：6 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA

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