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GT15Q311

TOSHIBA Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT

High Power Switching Applications Motor Control Applications • The 3rd generation • Enhancement-mode • High speed: tf = 0.32 µs (max) • Low saturation voltage: VCE (sat) = 2.7 V (max) • FRD included between emitter and collector

文件:172 Kbytes 页数:7 Pages

TOSHIBA

东芝

GT15Q311

Discrete IGBTs

文件:835.68 Kbytes 页数:16 Pages

TOSHIBA

东芝

GT15Q311

INSULATED GATE BIPOLAR TRANSISTOR SILICON N CHANNEL IGBT HIGH POWER SWITCHING APPLICATIONS MOTOR CONTROL APPLICATIONS

Toshiba

东芝

GT200HF120T2VHE

IGBT模块

SILVERMICRO/银茂微

上传:深圳市芯纬度科技有限公司

SILVERMICRO/银茂微

GT-2220

电源滤波器

详细参数

  • 型号:

    GT15Q311

  • 制造商:

    Toshiba America Electronic Components

  • 功能描述:

    Trans IGBT Chip N-CH 1.2KV 15A 3-Pin(2+Tab) TO-3P(SM)

  • 功能描述:

    TRANS IGBT CHIP N-CH 1.2KV 15A 3PIN TO-3P(SM) - Rail/Tube

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更多GT15Q311供应商 更新时间2026-1-28 14:30:00