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GT15J101	文件：208.76 Kbytes Page：3 Pages	N CHANNEL IGBT (HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS) Discrete IGBTs (PDF:875KB) 03/2011 : http://toshiba.semicon-storage.com/info/docget.jsp?did=7429 * GT30G124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 430V - IGBT Current Rating IC(A) @Ta = 25C : 200A * GT30J124 - Breakdown Voltage VCES(V) @Ta = 25C : 600V - IGBT Current Rating IC( 文件：208.76 Kbytes 页数：3 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT15J101	文件：835.68 Kbytes Page：16 Pages	Discrete IGBTs 文件：835.68 Kbytes 页数：16 Pages	TOSHIBA 东芝	TOSHIBA
GT15J101	文件：300 bytes Page：1 Pages	Insulated Gate Bipolar Transistor Silicon N Channel IGBT High Power Switching Applications Motor Control Applications	Toshiba 东芝	Toshiba
TV15J101A-G	文件：119.62 Kbytes Page：5 Pages	SMD Transient Voltage Suppressor 文件：119.62 Kbytes 页数：5 Pages	COMCHIP 典琦	COMCHIP

详细参数

型号：
GT15J101
制造商：
TOSHIBA
制造商全称：
Toshiba Semiconductor
功能描述：
N CHANNEL IGBT(HIGH POWER SWITCHING, MOTOR CONTROL APPLICATIONS)

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