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GT10J312	文件：295.12 Kbytes Page：6 Pages	NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS) HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector	TOSHIBAToshiba Semiconductor 东芝株式会社東芝	TOSHIBA
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GT10J312

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NCHANNELIGBT(HIGHPOWERSWITCHING,MOTORCONTROLAPPLICATIONS)

HIGHPOWERSWITCHINGAPPLICATIONS MOTORCONTROLAPPLICATIONS ●Third-generationIGBT ●Enhancementmodetype ●Highspeed:tf=0.30μs(Max.) ●Lowsaturationvoltage:VCE(sat)=2.7V(Max.) ●FRDincludedbetweenemitterandcollector

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

GT10J312

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TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

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BipolarSmall-SignalTransistors

MOSGT30F12630F12630A/330VIGBTTO-220F Toshiba30F126GT30F126 Referencesite:http://monitor.net.ru/forum/30f126-info-494727.html ReferencePDF(30F124,30F125,30F127,30F128,30F131) :http://pdf.datasheetbank.com/pdf/Toshiba/190505.pdf

TOSHIBAToshiba Semiconductor

东芝株式会社東芝

TOSHIBA

详细参数

型号：
GT10J312(TE24R)
制造商：
Toshiba America Electronic Components
功能描述：
Trans IGBT Chip N-CH 600V 10A 3-Pin(3+Tab) TO-220FL T/R
功能描述：
TRANS IGBT CHIP N-CH 600V 10A 3PIN TO-220SM - Tape and Reel

供应商	型号	品牌	批号	封装	库存	备注	价格
深圳市德创芯微科技有限公司	GT10J31210J312	TOSHIBA	1932+	TO-263	797	全新原装,支持实单,假一罚十,德创芯微	询价
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更多GT10J312(TE24R)供应商更新时间2024-5-16 14:00:00

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