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GSB200M65DF2AG	文件：572.21 Kbytes Page：17 Pages	型号：STGSB200M65DF2AG；Package：SMIT；Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A, low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package Features •AEC-Q101qualified •6μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=200A •Tightparameterdistribution •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Diceondirectbondcopper	STMICROELECTRONICSSTMicroelectronics 意法半导体意法半导体集团	STMICROELECTRONICS

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GSB200M65DF2AG

文件：572.21 Kbytes

Page：17 Pages

型号：STGSB200M65DF2AG；Package：SMIT；Automotive-grade trench gate field-stop, 650 V, 200 A, low-loss M series IGBT in an ACEPACK SMIT package

Features •AEC-Q101qualified •6μsofminimumshort-circuitwithstandtime •VCE(sat)=1.65V(typ.)@IC=200A •Tightparameterdistribution •PositiveVCE(sat)temperaturecoefficient •Lowthermalresistance •Maximumjunctiontemperature:TJ=175°C •Diceondirectbondcopper

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意法半导体意法半导体集团

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更多GSB200M65DF2AG供应商更新时间2025-7-28 17:43:00

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