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9435	文件：299.94 Kbytes Page：2 Pages	20VP-ChannelIncreasedMOSFET	FUMANFine Made Microelectronics Group Co.,Ltd. 富满微富满微电子集团股份有限公司	FUMAN
9435	文件：972.94 Kbytes Page：8 Pages	P-Channel30-V(D-S)MOSFET	VBSEMIVBsemi Electronics Co.,Ltd 微碧半导体微碧半导体（台湾）有限公司	VBSEMI
9435	文件：1.21295 Mbytes Page：5 Pages	P-ChannelEnhancementModePowerMOSFET DESCRIPTION The9435usesadvancedtrenchtechnologytoprovideexcellentRDS(ON),lowgatechargeandoperationwithgatevoltagesaslowas4.5V.ThisdeviceissuitableforuseasaloadswitchorinPWMapplications. GENERALFEATURES ●VDS=-30V,ID=-5.1A RDS(ON)	HOTTECHGuangdong Hottech Co. Ltd. 合科泰深圳市合科泰电子有限公司	HOTTECH
GSC9435	文件：257.519 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
GSC9435M	文件：279.17 Kbytes Page：5 Pages	P-CHANNELENHANCEMENTMODEPOWERMOSFET	GTMGTM CORPORATION 勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司	GTM
H9435S	文件：41.23 Kbytes Page：4 Pages	P-ChannelEnhancement-ModeMOSFET(-30V,-5.3A) Features •RDS(on)=60mΩ@VGS=-10V,ID=-5.3A •RDS(on)=90mΩ@VGS=-4.5V,ID=-4.2A •AdvancedTrenchProcessTechnology •HighDensityCellDesignforUltraLowOn-Resistance •FullyCharacterizedAvalancheVoltageandCurrent •ImprovedShoot-ThroughFOM	HSMCHi-Sincerity Mocroelectronics 华昕华昕科技有限公司	HSMC

更多GS9435G供应商更新时间2025-7-30 10:01:00