GS66516B中文资料650V增强型氮化镓晶体管数据手册GaN Systems规格书

描述 Description

GS66516B是增强型硅基氮化镓功率晶体管。 氮化镓的特性允许大电流，高电压和高开关频率。 GaN Systems 采用具有专利岛技术®的单元布局实现大电流晶片性能和良率。 GaNPX®封装可实现小型封装中的低电感和低热阻。 GS66516B是一款底部散热晶体管，可为要求苛刻的高功率应用提供极低的结至外壳热阻。 这些功能结合在一起可提供非常高效的功率变换。

特性 Features

• 超低品质因数（FOM)岛技术®晶片
• 低电感GaNPX®封装
• 简单的门极驱动要求（0 V至6 V）
• 瞬态容错门极驱动（-20 / + 10 V）
• 非常高的开关频率（> 10 MHz）
• 快速和可控的下降和上升时间
• 反向电流能力
• 零反向恢复损耗
• 小尺寸11 x 9 mm2占板面积
• 源极检测（SS）焊盘用于优化门极驱动
• 双门极和源极检测焊盘可实现最佳电路板布局
• 符合RoHS 6标准

应用 Application

• 高效率的功率转换
• 高功率密度的功率转换
• AC-DC转换器
• 无桥图腾柱PFC
• ZVS移相全桥
• 半桥拓扑
• 同步降压或升压
• 不间断电源
• 工业电机驱动器
• 单相和3相逆变器桥臂
• 太阳能和风力发电
• 快速充电
• DC-DC转换器
• 车载电池充电器
• 牵引驱动器