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GS66508T-MR中文资料650 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项,可实现极致效率和可靠性数据手册Infineon规格书

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厂商型号

GS66508T-MR

功能描述

650 V CoolGaN ™ e-mode 功率晶体管的迷你卷轴选项,可实现极致效率和可靠性

制造商

Infineon Infineon Technologies AG

中文名称

英飞凌 英飞凌科技股份公司

数据手册

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更新时间

2025-10-2 17:00:00

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GS66508T-MR规格书详情

描述 Description

GS66508T-MR 是一种增强型硅基氮化镓功率晶体管。GaN的特性允许高电流、高击穿电压和高开关频率。GS66508T-MR 是采用 GaNPX ®封装的顶部冷却晶体管,具有非常低的结到外壳热阻,适用于 ACDC 和 DCDC 转换器、电机驱动器、车载和非车载电动汽车充电器以及工业电源等大功率应用。

特性 Features

• E 模式 HEMT – 常关
• 无反向恢复电荷
• 低栅极电荷、低输出电荷
• 符合 JEDEC 标准(JESD47、JESD22)
• 零反向恢复损耗
• 符合 RoHS 3(6+4) 要求

应用 Application

• 电动汽车充电

技术参数

  • 制造商编号

    :GS66508T-MR

  • 生产厂家

    :Infineon

  • IDpuls(@25°C) max

    :60 A

  • QG

    :6.1 nC

  • RDS (on)(typ)

    :50 mΩ

  • RDS (on)max

    :63 mΩ

  • VDSmax

    :650 V

  • Mounting

    :SMT

  • Generation

    :≤ G3

供应商 型号 品牌 批号 封装 库存 备注 价格
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