丝印：GJ4；Package：SOT-23-3；300mA, HIGH SPEED, EXTREMELY LOW NOISE CMOS LDO REGULATOR

Features - Excellent Ripple Rejection: 70dB Typical (1.8V Version) - Low Dropout Voltage: 65mV (IOUT=100mA, 3.3V Version) - Low Standby Current: 0.01μA Typical - Low Quiescent Current: 60μA Typical - Extremely Low Noise: 50μVrms Typical - Maximum Output Current: 300mA (Min.) - High Output V

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DIODES

美台半导体

SINGLE PHASE MOULDED BRIDGES 0,8 AMP TO 1,5 AMP

[FACON] single phase moulded bridges 0,8 Amp to 1,5 Amp single phase moulded bridges 3 A to 6 A moulded single phase bridges 10 A to 35 A single phase moulded bridges 10 A to 50 A moulded single phase bridges 25 A to 50 A

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ETCList of Unclassifed Manufacturers

未分类制造商

P-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

NPN EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

N P N E P I T A X I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

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ETL

亚历电子

PNP EPITAXIAL PLANAR TRANSISTOR

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GTMGTM CORPORATION

勤益投资控股勤益投资控股股份有限公司

P N P E P I T A X I A L P L A N A R T R A N S I S T O R

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ETL

亚历电子

Ceramic Capacitors(SMD)

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MURATA1

村田