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INA133UA	文件：376.11 Kbytes Page：20 Pages	High-Speed,PrecisionDIFFERENCEAMPLIFIERS	TITexas Instruments 德州仪器美国德州仪器公司	TI
IPM-C133	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IPM-L133	文件：171.2 Kbytes Page：4 Pages	MiniatureIntegratedPowerMonitor	JDSUJDS Uniphase Corporation 捷迪讯	JDSU
IQMS-133	文件：133.2 Kbytes Page：3 Pages	MEMSOscillatorSpecification	IQD IQD Frequency Products Ltd	IQD
IQS133	文件：458.96 Kbytes Page：24 Pages	IQSwitch-ProxSenseSeries	etc2List of Unclassifed Manufacturers etc未分类制造商etc2未分类制造商	etc2
IRF133	文件：180.59 Kbytes Page：6 Pages	N-ChannelPowerMOSFETs,20A,60-100V Description Thesedevicesaren-channel,enhancementmode,powerMOSFETsdesignedespeciallyforhighpower,highspeedapplications,suchasswitchingpower,supplies,UPS,ACandDCmotorcontrol,relayandsolenoiddriversandhighenergypulsecircuits. ●LowRDS(on) ●VGSRatedat±20V ●	FairchildFairchild Semiconductor 仙童半导体飞兆/仙童半导体公司	Fairchild
IRF133	文件：211.72 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS FEATURES ●LowRDS(on) ●Improvedinductiveruggedness ●Fastswitchingtimes ●Ruggedpolysilicongatecellstructure ●Lowinputcapacitance ●Extendedsafeoperatingarea ●Improvedhightemperaturereliability ●TO-3package(Standard)	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung
IRF133	文件：48.14 Kbytes Page：2 Pages	HighPower,HighSpeedApplications	ISCInchange Semiconductor Company Limited 无锡固电无锡固电半导体股份有限公司	ISC
IRFF133	文件：161.62 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNELENHANCEMENT-MODEPOWERFIELD-EFFECTTRANSISTORS N-ChannelEnhancement-ModePowerField-EffectTransistors 7.0Aand8.0A,60V-100VrDS(on)=0.18Ωand0.25Ω	GESS GE Solid State	GESS
IRFP133	文件：354.18 Kbytes Page：6 Pages	N-CHANNELPOWERMOSFETS	SamsungSamsung semiconductor 三星三星半导体	Samsung

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深圳市科雨电子有限公司	GHS16-SME	LEM	20+	传感器	2796	就找我吧!--邀您体验愉快问购元件!	询价
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