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GES5816

Signal Transistors

文件:216.05 Kbytes 页数:4 Pages

GESS

GES5816

Silicon Transistors

文件:156.6 Kbytes 页数:2 Pages

NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc.

新泽西半导体新泽西半导体公司

GES5816-J1

Small Signal Transistors

文件:54.29 Kbytes 页数:1 Pages

CENTRAL

HM5816

Integrated digital tube driven 2A charging / 2.4 A discharge mobile power SOC

文件:2.19345 Mbytes 页数:16 Pages

HMSEMI

华之美半导体

IN5816

Military FAST RECOVERY RECTIFIER

Military Ultra Fast Recovery Rectifier ● Ultra Fast Recovery Rectifier ● Available in JAN, JANTX and JANTXV ● Mil-PRF-19500/478 ● 175°C Junction Temperature ● VRRM - 50 to 150 Volts ● 20 Amps Current Rating

文件:121.44 Kbytes 页数:2 Pages

MICROSEMI

美高森美

LP5816

LP5816 4-Channel I2C Interface RGBW LED Driver

1 Features • Operating voltage range – VCC range: 2.5V to 5.5V – Logic pins compatible with 1.8V, 3.3V, and 5V – Output voltage up to 5.5V • 4 constant current sinks with high precision – 0.1mA to 51mA per channel – Device-to-device error: ±8% (max.) – Channel-to-channel error: ±3%

文件:1.34928 Mbytes 页数:41 Pages

TI

德州仪器

晶体管资料

  • 型号:

    GES5816

  • 别名:

    三极管、晶体管、晶体三极管

  • 生产厂家:

  • 制作材料:

    Si-N/P

  • 性质:

    低频或音频放大 (LF)_TR

  • 封装形式:

    直插封装

  • 极限工作电压:

    50V

  • 最大电流允许值:

    0.75A

  • 最大工作频率:

    >120MHZ

  • 引脚数:

    3

  • 可代换的型号:

    2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,

  • 最大耗散功率:

    0.5W

  • 放大倍数:

    β>100

  • 图片代号:

    A-20

  • vtest:

    50

  • htest:

    120000100

  • atest:

    0.75

  • wtest:

    0.5

详细参数

  • 型号:

    GES5816

  • 制造商:

    Rochester Electronics LLC

  • 功能描述:

    - Bulk

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更多GES5816供应商 更新时间2026-4-24 10:24:00