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GES5814 | Signal Transistors 文件:216.05 Kbytes 页数:4 Pages | GESS | GESS | |
GES5814 | Silicon Transistors 文件:156.6 Kbytes 页数:2 Pages | NJSEMINew Jersey Semi-Conductor Products, Inc. 新泽西半导体新泽西半导体公司 | NJSEMI | |
GES5814 | Planar passivated epitaxial NPN silicon transistor. 40V, 750mA. | GESS | GESS | |
Small Signal Transistors 文件:54.29 Kbytes 页数:1 Pages | CENTRAL | CENTRAL |
晶体管资料
- 型号:
- 别名:
三极管、晶体管、晶体三极管
- 生产厂家:
- 制作材料:
Si-N/P
- 性质:
低频或音频放大 (LF)_TR
- 封装形式:
直插封装
- 极限工作电压:
50V
- 最大电流允许值:
0.75A
- 最大工作频率:
>100MHZ
- 引脚数:
3
- 可代换的型号:
2N5810,2N5811,2N5812,2N5813,2N5814,2N5815,2N5816,2N5817,2N5818,2N5819,2N5820,2N5821,2N5822,2N5823,
- 最大耗散功率:
0.5W
- 放大倍数:
β>60
- 图片代号:
A-20
- vtest:
50
- htest:
100000100
- atest:
0.75
- wtest:
0.5
详细参数
- 型号:
GES5814
- 制造商:
GESS
- 制造商全称:
GESS
- 功能描述:
Signal Transistors
| 供应商 | 型号 | 品牌 | 批号 | 封装 | 库存 | 备注 | 价格 |
|---|---|---|---|---|---|---|---|
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更新时间2026-1-30 10:06:00

