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GE50L02	文件：258.57 Kbytes Page：5 Pages	N-CHANNEL ENHANCEMENT MODE POWER MOSFET Description The GE50L02 provide the designer with the best combination of fast switching, ruggedized device design, low on-resistance and cost-effectiveness. The through-hole version (TO-220) is available for low-profile applications and suited for low voltage applications such as DC/DC converte 文件：258.57 Kbytes 页数：5 Pages	GTM 勤益投资控股	GTM
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