订购数量 | 价格 |
---|---|
1+ |
首页>GD25S512MDFIGR>芯片详情
GD25S512MDFIGR 集成电路(IC)存储器 GIGADEVICE/兆易创新
- 详细信息
- 规格书下载
原厂料号:GD25S512MDFIGR品牌:GD/兆易创新
全新原装正品现货
GD25S512MDFIGR是集成电路(IC) > 存储器。制造商GD/兆易创新/GigaDevice Semiconductor (HK) Limited生产封装SOP16/16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)的GD25S512MDFIGR存储器存储器是集成电路上用作数据存储设备的半导体器件。这些器件分为非易失性或易失性两种,格式包括 CBRAM、DRAM、EEPROM、EERAM、EPROM、闪存、FRAM、NVSRAM、PCM (PRAM)、PSRAM、RAM 和 SRAM。这些器件的存储容量为 64 b 至 6 Tb 不等,接口有 I2C、MMC、并行、eMMC、串行、单线、SPI、UFS、Xccela 总线和 1-Wire。
产品属性
更多- 类型
描述
- 产品编号:
GD25S512MDFIGR
- 制造商:
GigaDevice Semiconductor (HK) Limited
- 类别:
- 包装:
托盘
- 存储器类型:
非易失
- 存储器格式:
闪存
- 技术:
FLASH - NOR
- 存储容量:
512Mb(64M x 8)
- 存储器接口:
SPI - 四 I/O
- 写周期时间 - 字,页:
50µs,2.4ms
- 电压 - 供电:
2.7V ~ 3.6V
- 工作温度:
-40°C ~ 85°C(TA)
- 安装类型:
表面贴装型
- 封装/外壳:
16-SOIC(0.295",7.50mm 宽)
- 供应商器件封装:
16-SOP
- 描述:
IC FLASH 512MBIT SPI/QUAD 16SOP
供应商
相近型号
- GD25Q80ESIG
- GD32E103C8T6
- GD25Q80CTIGR
- GD32E103CBT6
- GD25Q80CTIG
- GD32E103R8T6
- GD25Q80CSIGR
- GD32E103RBT6
- GD25Q80CSIG
- GD32E103TBU6
- GD25Q80BSIG
- GD32E103VBT6
- GD25Q64EWIGR
- GD32E230C8T6
- GD25Q64ESIGR
- GD32E230F4P6
- GD25Q64ESIG
- GD32E230F4P6TR
- GD25Q64CWIGR
- GD32E230F4V6
- GD32E230F4V6TR
- GD25Q64CSIGR
- GD32E230F6P6TR
- GD25Q64CSIG
- GD32E230F8P6
- GD25Q64BWIG
- GD32E230F8P6TR
- GD25Q64BSIG
- GD32E230F8V6
- GD25Q40CTIGR
- GD32E230F8V6TR
- GD25Q40CTIG
- GD32E230G4U6TR
- GD25Q40BTIG
- GD32E230G6U6TR
- GD25Q32ESIGR
- GD32E230G8U6
- GD25Q32ESIG
- GD32E230G8U6TR
- GD25Q32CSIGY
- GD32E230K6T6
- GD25Q32CSIGR
- GD32E230K6U6
- GD25Q32CSIG
- GD32E230K8T6
- GD25Q32BVIG
- GD32E230K8U6
- GD25Q32BSIG
- GD32E231C8T6
- GD25Q256EYIGR