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HMC525	文件：315.28 Kbytes Page：6 Pages	GaAsMMICI/QMIXER4.0-8.5GHz GeneralDescription TheHMC525isacompactI/QMMICmixerwhichcanbeusedaseitheranImageRejectMixeroraSingleSidebandUpconverter.ThechiputilizestwostandardHittitedoublebalancedmixercellsanda90degreehybridfabricatedinaGaAsMESFETprocess.Alldatashownbelowista	Hittite Hittite Microwave Corporation	Hittite
HMC525	文件：886.08 Kbytes Page：9 Pages	Point-to-PointandPoint-to-Multi-PointRadio GeneralDescription TheHMC525isacompactI/QMMICmixerwhichcanbeusedaseitheranImageRejectMixeroraSingleSidebandUpconverter.ThechiputilizestwostandardHittitedoublebalancedmixercellsanda90degreehybridfabricatedinaGaAsMESFETprocess.Alldatashownbelowistak	MICROSS Micross Components	MICROSS
HMC525A	文件：581.64 Kbytes Page：27 Pages	4GHzto8.5GHz,WidebandI/QMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC525ACHIPS	文件：581.64 Kbytes Page：27 Pages	4GHzto8.5GHz,WidebandI/QMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HMC525A-SX	文件：581.64 Kbytes Page：27 Pages	4GHzto8.5GHz,WidebandI/QMixer	ADAnalog Devices 亚德诺亚德诺半导体技术有限公司	AD
HSB-525I	文件：276.19 Kbytes Page：2 Pages	ISAHalf-SizeSBCWithIntelAtomD525Processor	AAEONAAEON Technology 研扬科技研扬科技（苏州）有限公司	AAEON
HSMA-T525	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMD-T525	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
HSMJ-T525	文件：155.71 Kbytes Page：5 Pages	SurfaceMountHighPerformanceAlInGaPLEDIndicators Description TheLEDmaterialusedinthesedevicesistheveryefficientabsorbingSubstratealuminumindiumgalliumphosphide(ASAlInGaP),capableofproducinghighlightoutputoverawiderangeofdrivecurrents. Features •OutstandingLEDMaterialEfficiency •ExceptionalLightOutputOve	HPAgilent(Hewlett-Packard) 安捷伦科技安捷伦科技有限公司	HP
I525	文件：44.84 Kbytes Page：1 Pages	SurfaceMountOscillator,TCXO,TCVCXOMetalPackage,9mmx11mm	ILSI ILSI America LLC	ILSI

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